报告题目：正电子谱学技术及其应用研究

报告时间：3月28日（周五）下午16 :00

报告地点：新能源大楼附楼102会议室

报告人简介：曹兴忠，中国科澳门赌场高能物理研究所研究员。研究方向包含正电子谱学技术、微观结构缺陷、辐照损伤效应研究等。发表300余篇学术论文，被引用上千次，H因子67，2023/2024高被引学者，授权30余项发明专利；分别于2005年、2015年两次获得北京市科学技术一等奖；主持或参与了相关研究课题 10 余项：科澳门赌场先导，国家自然科学基金重点、面上项目等。目前是核物理学会正电子谱学专业委员会秘书长、核学会辐照效应分会理事。

报告简介：正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势，可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息，在金属、高分子、粉末等材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面独具特色，对研究材料的微观结构、优化材料的工艺和性能等方面有着指导作用。